濟南led照明

LED（LightingEmittingDiode）照明即是發光二極管照明，是一種半導體固體發光器件。濟南led照明它是應用固體半導體芯片作為發光資料，在半導體中經過載流子發作復合放出過剩的能量而惹起光子發射，直接發出紅、黃、藍、綠色的光，在此根底上，應用三基色原理，添加熒光粉，能夠發出恣意顏色的光。應用LED作為光源制造出來的照明用具就是LED燈具。LED照明燈具里，反射用處的LED照明燈具能夠完整勝任于任何場所，大面積室內照明還不成熟。

LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其中心是PN結。因而它具有普通P-N結的I-V特性，即正導游通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特性。在正向電壓下，電子由N區注入P區，空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子（少子）一局部與多數載流子（多子）復合而發光。

假定發光是在P區中發作的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發光，或者先被發光中心捕獲后，再與空穴復合發光。除了這種發克復合外，還有些電子被非發光中心（這個中心介于導帶、介帶中間左近）捕獲，然后再與空穴復合，每次釋放的能量不大，不能構成可見光。發光的復合量相關于非發克復合量的比例越大，光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區內發光的，所以光僅在靠近PN結面數μm以內產生。

理論和理論證明，光的峰值波長λ與發光區域的半導體資料帶隙Eg有關，即 λ≈1240/Eg（mm）

式中Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產生可見光（波長在380nm紫光～780nm紅光），半導體資料的Eg應在3.26～1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。已有紅外、紅、黃、綠及藍光發光二極管，但其中藍光二極管本錢、價錢很高，運用不普遍。