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LED(LightingEmittingDiode)照明即是發光二極管照明,是一種半導體固體發光器件。濟南led照明它是應用固體半導體芯片作為發光資料,在半導體中經過載流子發作復合放出過剩的能量而惹起光子發射,直接發出紅、黃、藍、綠色的光,在此根底上,應用三基色原理,添加熒光粉,能夠發出恣意顏色的光。應用LED作為光源制造出來的照明用具就是LED燈具。LED照明燈具里,反射用處的LED照明燈具能夠完整勝任于任何場所,大面積室內照明還不成熟。
LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷化鎵)等半導體制成的,其中心是PN結。因而它具有普通P-N結的I-V特性,即正導游通,反向截止、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發光特性。在正向電壓下,電子由N區注入P區,空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子(少子)一局部與多數載流子(多子)復合而發光。
假定發光是在P區中發作的,那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發光,或者先被發光中心捕獲后,再與空穴復合發光。除了這種發克復合外,還有些電子被非發光中心(這個中心介于導帶、介帶中間左近)捕獲,然后再與空穴復合,每次釋放的能量不大,不能構成可見光。發光的復合量相關于非發克復合量的比例越大,光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區內發光的,所以光僅在靠近PN結面數μm以內產生。
理論和理論證明,光的峰值波長λ與發光區域的半導體資料帶隙Eg有關,即 λ≈1240/Eg(mm)
式中Eg的單位為電子伏特(eV)。若能產生可見光(波長在380nm紫光~780nm紅光),半導體資料的Eg應在3.26~1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。已有紅外、紅、黃、綠及藍光發光二極管,但其中藍光二極管本錢、價錢很高,運用不普遍。
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